Tổng tiền tạm tính:
[giaban] Liên hệ nhận giá tốt [/giaban]
| Tổng quan | |
| Kích thước | 425 mm x 760 mm x 535mm (WxDxH) |
| Nguồn điện | 100 - 250 V AC (50/60 Hz) |
| Khối lượng | 88kg |
| Công suất tiêu thụ | Tối đa 430W |
| Công suất tiêu thụ chế độ chờ | 45W (50W Source on) |
| Khí Argon | |
| Độ tinh khiết | Min 4.8 |
| Áp suất đầu vào | 3 Bar |
| Hệ thống quang học | |
| Hệ quang học | Theo nguyên lý Paschen-Runge Mounting |
| Đường truyền ánh sáng trực tiếp đến buồng quang học. | |
| Dải bước sóng phân tích | 119 - 670nm (có thể mở rộng lên 766 nm) |
| Cảm biến | Cảm biến Multi-CMOS (4096 pixel per chip) với độ phân giải Pixel được tối ưu hóa. |
| Độ tương phản | |
| Tiêu cự | 400 mm |
| Mật độ rãnh | |
| Hệ thống chân không | Bơm có công suất 700w, có độ ồn thấp, ít phát sinh nhiệt và không cần bảo dưỡng bơm. |
| Kết nối qua Shut-off-valve, dễ dàng bảo dưỡng và thay thế cửa sổ quang học | |
| Bộ phát plasma | Kỹ thuật phát tia lửa điện năng lượng cao (HEPS) giúp đốt mẫu tốt hơn |
| Cài đặt các thông số bằng phần mềm | |
| Tần số: 80 – 1000 Hz | |
| Điện áp: 250 - 500 V | |
| Bộ giá kẹp mẫu | Bộ giá kẹp mẫu với kết cấu mở cả 3 chiều, có thể đặt có những mẫu có kích thước |
| Kết cấu Jet-Stream-electrode cho thực hiện trên các mẫu nhỏ và mẫu có hình dạng phức tạp. Tối ưu hóa mức tiêu thụ Argon là thấp nhất. | |
| Bàn kẹp mẫu được điều chỉnh đa năng | |
| Tấm nắp có thể thay đổi cho từng loại mẫu khác nhau. | |
| Giới hạn phân tích của 1 số nguyên tố | C: 2 ppm; B: 1ppm; Si: 5 ppm; P: 2 ppm; S: 2 ppm; Mg: 1 ppm; N: 5 ppm; O: 10ppm |