Tổng tiền tạm tính:
[giaban] Liên hệ nhận giá tốt [/giaban]
| Tổng quan | |
| Kích thước | 280 x 415 x 665 mm (HxWxD) |
| Nguồn điện | 90-250 VAC (50/60 Hz) |
| Khối lượng | 35 kg |
| Công suất tiêu thụ trung bình | Máy chính 700W |
| Công suất tiêu thụ chế độ chờ | 50W (Công suất nguồn 100W) |
| Khí Argon | |
| Độ tinh khiết | ≥5.0 |
| Áp suất đầu vào | 3 Bar |
| Hệ thống quang học | |
| Hệ quang học | Theo nguyên lý Paschen-Runge Mounting |
| Đường truyền ánh sáng trực tiếp đến buồng quang học. | |
| Dải bước sóng phân tích | 175 – 420nm (mở rộng đến 671nm cho Cu, Na,Li) |
| Cảm biến | Cảm biến Multi-CCD (2048 pixel per chip) với độ phân giải Pixel được tối ưu hóa. |
| Độ phân giải CCD | 7 pico-meter |
| Độ tương phản | 1.75 nm/m (1st order) |
| Tiêu cự | 300 mm |
| Holographic grating | 1774 grooves/mm |
| Bộ phát plasma | Kỹ thuật phát tia lửa điện năng lượng cao (HEPS) giúp đốt mẫu tốt hơn |
| Cài đặt các thông số bằng phần mềm | |
| Tần số: 80 – 500 Hz | |
| Điện áp: 250- 500 V | |
| Bộ giá kẹp mẫu | Bộ gá kẹp mẫu với kết cấu mở cả 3 chiều, có thể đặt có những mẫu có kích thước |
| Kết cấu Jet-Stream-electrode cho thực hiện trên các mẫu nhỏ và mẫu có hình dạng phức tạp. Tối ưu hóa mức tiêu thụ Argon là thấp nhất. | |
| Bàn kẹp mẫu được điều chỉnh đa năng | |
| Tấm nắp có thể thay đổi cho từng loại mẫu khác nhau. | |
| Giới hạn phân tích của 1 số nguyên tố chính | C: 30ppm; Si: 20ppm; P: 20ppm; S:20ppm; Mn:20ppm |
.png)
.png)
.png)
.png)